웨이퍼 준비(Wafer Preparation) 과정 및 기술

웨이퍼 준비(Wafer Preparation) 슬라이싱 공정은 집적 회로(IC) 및 태양 전지와 같은 반도체 장치 제조에서 중요한 단계입니다. 여기에는 실리콘 또는 기타 반도체 재료의 단결정에서 얇은 웨이퍼를 절단하는 작업이 포함됩니다. 그런 다음 웨이퍼는 전자 부품 제조를 위한 기본 재료로 사용됩니다. 웨이퍼 슬라이싱 프로세스는 최종 웨이퍼가 정확한 두께를 갖고 결함이 없는 매끄러운 표면을 갖도록 보장하기 위해 고정밀로 수행되어야 합니다. 이 에세이에서 우리는 웨이퍼 슬라이싱 프로세스의 역사, 방법 및 과제에 대해 이야기해보도록 하겠습니다. 

 

 

<자료 : 시장조사기관 deallab 자료 토대로 KOTRA 도쿄 무역관 작성>

 

 

 

웨이퍼(Wafer) 준비_슬라이싱 방법

 

● 다이아몬드 톱질: 이것은 가장 오래되고 널리 사용되는 웨이퍼 슬라이싱 방법입니다. 그것은 반도체 재료를 절단하는 다이아몬드 팁 블레이드의 사용을 포함합니다. 다이아몬드 톱질 공정은 느리고 한 번에 제한된 수의 웨이퍼만 생산할 수 있습니다.

 

● 와이어 톱질: 와이어 절단은 다이아몬드 절단보다 빠르고 효율적인 웨이퍼 절단의 새로운 방법입니다. 반도체 재료를 절단하는 연마 입자로 코팅된 와이어를 사용합니다. 와이어 절단은 다이아몬드 절단보다 한 번에 더 많은 수의 웨이퍼를 생산할 수 있습니다.

 

● 레이저 스크라이빙: 레이저 스크라이빙은 반도체 재료를 절단하기 위해 레이저 빔을 사용하는 웨이퍼 슬라이싱의 비접촉 방법입니다. 한 번에 많은 수의 웨이퍼를 생산할 수 있는 빠르고 정밀한 방법입니다. 레이저 스크라이빙은 종종 얇은 웨이퍼 절단에 사용됩니다.

 

● 플라즈마 에칭: 플라스마 에칭은 플라스마를 사용하여 반도체 재료를 에칭 하는 웨이퍼 슬라이싱 방법입니다. 표면이 매끄러운 웨이퍼를 생산할 수 있는 정밀한 방법입니다. 플라스마 에칭은 종종 1mm보다 두꺼운 웨이퍼를 절단하는 데 사용됩니다.

 

 

 

 

 

웨이퍼(Wafer) 슬라이싱의 역사와 해결과제

 

웨이퍼 슬라이싱의 역사는 다이아몬드 톱을 사용하여 최초의 실리콘 웨이퍼를 슬라이싱한 1950년대로 거슬러 올라갑니다. 당시에는 공정이 느리고 비효율적이어서 한 번에 몇 개의 웨이퍼만 생산되었습니다. 수년에 걸쳐 기술의 발전으로 더 빠르고 정확한 새로운 웨이퍼 슬라이싱 기술이 개발되었습니다.

 

기술의 발전에도 불구하고 웨이퍼 슬라이싱은 여전히 ​​어려운 공정입니다. 주요 과제 중 하나는 최종 웨이퍼의 두께가 정확한지 확인하는 것입니다. 이는 웨이퍼의 두께가 최종 전자 부품의 전기적 특성을 결정하기 때문에 중요합니다. 또 다른 과제는 웨이퍼가 결함이 없는 매끄러운 표면을 갖도록 하는 것입니다. 웨이퍼 표면의 작은 결함도 전자 부품 제조 시 문제를 일으킬 수 있습니다.

 

 

 

 

 

결론

 

웨이퍼 슬라이싱 공정은 반도체 장치 제조에서 중요한 단계입니다. 결과 웨이퍼의 두께가 정확하고 결함이 없는 매끄러운 표면을 갖도록 공정을 매우 정밀하게 수행해야 합니다. 웨이퍼 슬라이싱에는 다이아몬드 톱질, 와이어 톱질, 레이저 스크라이빙, 플라스마 에칭 등 여러 가지 방법이 있습니다. 기술의 발전에도 불구하고 웨이퍼 슬라이싱은 높은 정밀도가 필요하고 결함 가능성이 있기 때문에 여전히 어려운 프로세스입니다. 그럼에도 불구하고 지속적인 연구 개발은 향후 웨이퍼 슬라이싱 기술의 추가 개선으로 이어질 가능성이 높습니다.

 

 

 

 

 

 

 

반도체 제조에 대한 포괄적인 가이드: 크리스탈에서 메모리 칩까지

반도체 제조에 대한 포괄적인 가이드: 크리스탈에서 메모리 칩까지

 

결정 성장 공정(Crystal Growth) 과정 및 기술

결정 성장 공정(Crystal Growth) 과정 및 기술